通入四氟化碳作為真空等離子蝕刻機(jī)的氣源可以實(shí)現(xiàn)蝕刻的功能：
       另外物理過程是通過真空等離子蝕刻機(jī)對(duì)基片表面的轟擊與濺射刻蝕不同的是，這里的物理轟擊，主要是破壞化學(xué)鍵和晶格序列，加快反應(yīng)物的脫附，來(lái)促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)過程的進(jìn)行以及表面非揮發(fā)性產(chǎn)物的去除。在等離子刻蝕清洗機(jī)ICP的刻蝕過程中，襯底偏壓為真空等離子蝕刻機(jī)提供能量，能夠使活性粒子作用于基片表面，其功率大小決定等離子動(dòng)能的大小，這些高能活性粒子在刻蝕過程中，發(fā)揮著重要的作用。

　　相比于刻蝕前刻蝕后，表面質(zhì)量有所下降分析其原因，由于ICP刻蝕輝光放電產(chǎn)生的活性粒子擴(kuò)散到基片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)會(huì)生成一些非揮發(fā)性產(chǎn)物，來(lái)不及脫附沉積到基片表面。另外還有部分離子對(duì)基片產(chǎn)生物理轟擊作用，破壞表面晶格陣列使基片表面產(chǎn)生孔洞及麻點(diǎn)導(dǎo)致材料表面質(zhì)量下降。同時(shí)在原基底表面由于存在硅和碳化硅兩相組分其結(jié)構(gòu)不統(tǒng)一。真空等離子蝕刻機(jī)刻蝕后的材料表面時(shí)兩相分界處、孔洞及麻點(diǎn)等不均勻性，會(huì)導(dǎo)致材料表面對(duì)光線的散射作用，其中孔洞也會(huì)增加材料對(duì)光線的吸收致使材料表面反射率降低，表面粗糙度增大。