TO封裝性能的提升離不開(kāi)等離子表面處理工藝的應(yīng)用：
       TO是晶體管的形態(tài)，早期晶體管大多采用同軸封裝，后來(lái)借用于光通信，稱為光通信，稱為T(mén)O封裝，即同軸封裝。目前同軸器件由于制造方便、低成本優(yōu)勢(shì)大，基本占據(jù)著熱門(mén)的光學(xué)器件市場(chǎng)應(yīng)用。
       在光電器件的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)中，封裝往往占其成本的60%~90%，其中80%的制造成本來(lái)自組裝和封裝過(guò)程。因此，封裝在降低成本方面發(fā)揮著重要作用，并逐漸成為研究的熱點(diǎn)話題。
      TO封裝中存在的問(wèn)題主要包括焊接分層、虛擬焊接或線路硬度不足，導(dǎo)致這些問(wèn)題的罪魁禍?zhǔn)资倾U框架和芯片表面的污染物，主要是微粒污染、氧化層、有機(jī)殘留物等，這些現(xiàn)有的污染物使芯片和框架底板之間的銅線焊接不完整或虛擬焊接，如何解決微粒、氧化層等污染物，提高包裝質(zhì)量尤為重要。

        等離子表面處理主要通過(guò)活性plasma體對(duì)材料表面進(jìn)行物理轟炸或化學(xué)反應(yīng)等單一或雙重效應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)材料表面分子水平的污染物去除或改性。在封裝過(guò)程中，可以有效去除材料表面的有機(jī)殘留物、微顆粒污染和氧化薄層，提高工件表面的活性，避免引線鍵合分層或虛擬焊接。
       等離子表面處理工藝的應(yīng)用能夠大幅提高粘合和引線鍵合硬度的性能，還可以避免長(zhǎng)期接觸引線框架引起的再次污染。