CRF plasma 等離子清洗機

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IP膠經(jīng)CRF等離子火焰處理機DIW接觸角有所下降

IP膠經(jīng)CRF等離子火焰處理機DIW接觸角有所下降:
       IP膠水被廣泛應(yīng)用于0.25μm光掩模設(shè)計原則及以下工藝其中一種光刻膠,其中之一IP3600是一種常用的00.25DR的Hline光掩模的光刻膠。甚至在1300。nm相移掩模技術(shù)的二次掩模加工仍將使用IP膠。

等離子火焰處理機

       IP膠是一種基于酚醛樹脂的光刻膠,與酚醛樹脂一起使用poly膠體的主要區(qū)別在于膠體表面有明顯的抗分解現(xiàn)象,即親水性差。對于膠體表面。IP就膠水而言,其親水性差會使顯影液難以均勻作用于膠水表面,從而形成缺陷或?qū)е嘛@影不完整。因此,在IP在膠顯影中,工藝難點之一是如何提高顯影前IP膠水的親水性。

      等離子火焰處理機作為半導(dǎo)體制造和包裝領(lǐng)域常用的預(yù)清洗方法,可以物理去除硅片或芯片表面的一些污染(如自然氧化層、灰粒、有機污染物等)。).采用等離子火焰處理機的表面預(yù)處理方法IP對于橡膠表面,為了提高橡膠表面的粗糙度,從而提高去離子水潤濕膠水表面的均勻性,避免膠水表面的粗糙度IP膠親水性問題帶來的顯影缺陷。在等離子火焰處理表面處理時,由于等離子體的轟擊會引起轟擊IP膠水厚度的損失。為了方便后續(xù)顯影時間和顯影均勻性的控制,必須考慮等離子體轟擊引起的等離子體轟擊。IP膠水厚度損失。
       等離子體清洗機表面處理后,由于等離子體轟炸的損失,其掩模板IP處理前564膠厚.4nm,降至處理后的561.2nm,厚度損失約3.2nm,遠在IP膠水顯影前可控厚度偏差(565)+10)nm.這表明,盡管表面轟擊效應(yīng)會導(dǎo)致表面轟擊效應(yīng)IP膠水的厚度有一定的損失,但時間短、厚度損失小,膠水厚度有一定的損失。一般來說,這種等離子體表面處理是正確的IP膠的厚度不會有明顯影響。
       IP膠經(jīng)等離子火焰處理機處理后,其對DIW接觸角顯著降低,即靜態(tài)接觸角從未處理過的77°降至45°,前進接觸角從未處理過88°降至51°,也使后退接觸角從未處理過33°降到10°下面。這表明,由于等離子體對應(yīng)IP膠表面的轟擊增加了表面的微粗糙度,進而增加了表面的微粗糙度IP膠水的吸附和浸潤能力提高了膠水的吸附和浸潤能力IP膠表面的親水性。
       在顯影前的水沖洗步驟中,可以清楚地看到等離子火焰處理上可以清楚地看到表面水滴變小,密集均勻地分布在膠表面,這也表明其親水性和顯影均勻性得到了顯著提高。


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