誠峰PDMS等離子清洗機(jī)鍵合的關(guān)鍵工藝:
       鑒于半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，對生產(chǎn)工藝確立了更高一些的標(biāo)準(zhǔn)，特別是在相對于半導(dǎo)體圓片的表層質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)變得越來越高，首要原因是圓片表面的顆粒和金屬材料殘?jiān)恼慈緯?yán)重影響器件的質(zhì)量和成材率，當(dāng)前集成電路生產(chǎn)中，鑒于存在著晶圓表面沾染問題，超過50%的集成電路材料丟失。
       在半導(dǎo)體制造過程中，幾乎每一道工序都需要進(jìn)行圓片清洗的清洗質(zhì)量，嚴(yán)重影響著器件的性能。正因?yàn)閳A片清洗是半導(dǎo)體制造過程中最為重要、最為頻繁的步驟，而其工藝質(zhì)量直接影響著設(shè)備的成品率、性能和可靠性所以國內(nèi)外各大公司、研究所等都在不斷地對清洗工藝進(jìn)行研究。離子清洗是一種先進(jìn)的干式清洗技術(shù)，具有綠色環(huán)保等特點(diǎn)，隨著微電子行業(yè)的快速發(fā)展，等離子清洗機(jī)在半導(dǎo)體工業(yè)中的應(yīng)用日益增多。

       現(xiàn)在，相對于PDMS和硅基材料的低溫粘結(jié)有多種方法。用硅-PDMS制備多層結(jié)構(gòu)微閥時，直接旋涂PDMS，固化于硅片上，是一種可逆鍵合的方法，該方法為可逆鍵合，結(jié)合強(qiáng)度不高。生物芯片采用crf等離子清洗機(jī)對PDMS與帶氧化層掩膜的硅襯底進(jìn)行分別處理，使之相互結(jié)合。該方法實(shí)際上是PDMS和SiO2掩膜的結(jié)合體，但是在硅片上熱氧化得到的SiO2膜層與PDMS的結(jié)合效果并不理想。采用等離子體法對PDMS和帶鈍化層的硅片進(jìn)行了表面處理，并在常溫下成功地進(jìn)行了鍵合。人們普遍認(rèn)為，通過氧等離子體改性來實(shí)現(xiàn)PDMS與其他基片結(jié)合的技術(shù)是經(jīng)過氧等離子體表面改性后，PDMS襯底應(yīng)及時貼合，否則PDMScrf等離子清洗機(jī)表面將迅速恢復(fù)疏水性，從而導(dǎo)致膠接失效，所以操作的過程時間比較短，一般是1~10min。然而，一般在需鍵合的PDMS襯底和硅襯底上都會有相應(yīng)的微細(xì)結(jié)構(gòu)，在粘合前需要用一定的時間對齊結(jié)構(gòu)圖，因此，如何延長PDMS活性面的時間，就成了保證誠峰PDMS等離子清洗機(jī)粘合質(zhì)量的關(guān)鍵。
       crf等離子清洗機(jī)粘具有工藝簡單、操作方便、無廢料處理及環(huán)境污染等優(yōu)點(diǎn)。但是，它不能去除碳、以及其他非揮發(fā)性金屬材料或金屬氧化物殘?jiān)?。等離子體清洗常用于光刻膠的脫除工藝中，在強(qiáng)電場作用下，在等離子體反應(yīng)系統(tǒng)中引入少量氧，使氧生成等離子體，快速將光刻膠氧化成揮發(fā)性氣態(tài)物質(zhì)。此種清洗工藝具有操作簡便、效率高、表面清潔、不需酸堿和有機(jī)溶劑等優(yōu)點(diǎn)，且不需酸、堿、有機(jī)溶劑等，受到越來越多的關(guān)注。