大部分人不曉得CRF_誠峰智造plasma的清洗方式 是物理還是化學？
      CRF_誠峰智造plasma清洗分為化學清洗、物理清洗和物理化學清洗。根據(jù)不同的清潔物體和工藝要求，可以選擇O2、H2或Ar等不同的混合氣體進行短時間的表面處理。
一、CRF-plasma清洗的化學反應
利用plasma清洗中的高活性自由基與材料表面的有機物進行化學反應，也稱為pe。用O2清洗，使非易揮發(fā)有機物轉變成易揮發(fā)形態(tài)，產(chǎn)生CO2、一氧化碳氣體和水。化學清洗的優(yōu)點是清洗速度快。選擇性好，對清洗有(機)污染物有效。其最大的缺點是會在材料表面重新形成氧化物質(zhì)。氧化劑在引線鍵合時是不希望出現(xiàn)的，可通過適當選擇工藝參數(shù)來避免這些缺點。

二、plasma清洗以物理反應為主
利用plasma清洗中的離子進行純物理沖擊，去除附著在材料表面的原子，也稱為濺射腐蝕(SPE)。用氬氣清洗，氬離子用足夠的能量轟擊器件表面，沖擊力足以去除任何污垢。聚合物中的大分子化學鍵分離成小分子汽化，通過進口真空泵排出去。與此同時，氬等離子清洗后，可以改變材料表面的微觀形態(tài)，使材料在分子范圍內(nèi)更加粗糙，可以大大提高表面活性和粘結性能。氬等離子的優(yōu)點是清潔材料表面不會留下氧化物質(zhì)。缺點是可能發(fā)生過度腐蝕或污染物顆粒在其他不想要的區(qū)域重新積累，但這些缺點可以通過細調(diào)工藝參數(shù)來控制。