AR和N2在真空等離子設(shè)備的等離子體產(chǎn)生的必要的2種氣源：
AR：H2可供消除金屬表面氧化物使用。它時常與氬氣混合使用,以提高消除速度。一般人們擔心氫氣的易燃性,氫氣的使用量非常少。人們更大的擔心是氫氣的存儲。我們可以采用H2真空等離子設(shè)備發(fā)生器從水中產(chǎn)生氫氣。從而去掉了潛在的危害性。H2與O2類似，屬于高活性氣體，可以對表面進行活化及清洗。H2與O2的區(qū)別主要是反應后形成的活性基團不同，同時H2具有還原性，可用于金屬表面的微觀氧化層消除且不易對表面敏感有機層造成損壞。所以在微電子、半導體及線路板制造行業(yè)使用較廣。因H2為危險性氣體，未被電離時與O2匯合會發(fā)生自爆，所以在真空等離子設(shè)備中通常是禁止兩種氣體混合使用的。
真空等離子狀態(tài)H等離子呈紅色，和ar在相同的放電環(huán)境下，等離子體的顏色略深于氬等離子體。CF4/SF6：氟化的氣體在半導體工業(yè)以及PWB(印制線路板)工業(yè)中應用非常廣泛。在IC封裝中的應用只有一種。這些氣體用在PADS工藝中,通過這種處理,氧化物轉(zhuǎn)化成氟氧化物,允許無流動焊接。

N2：N2電離形成的等離子體能夠與部分分子結(jié)構(gòu)發(fā)生鍵合反應，所以也是一種活性氣體，但相對于O2和H2而言，其粒子比較重，通常情況下在真空等離子設(shè)備應用中會把此氣體界定在活性氣體氧氣、氫氣與惰性氣體氬氣之間的一種氣體。在清洗活化的同時能夠達到一定轟擊、刻蝕的果，同時能夠防止部分金屬表面出現(xiàn)氧化。氮氣與其他氣體組合形成的等離子體通常會被應用于一些特殊材料的處理。N等離子體在真空等離子體設(shè)備狀態(tài)下也是紅色的，氮等離子體在相同的放電環(huán)境下會比氬等離子體和氫等離子體更亮。