CRF plasma 等離子清洗機(jī)

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plasma清洗設(shè)備隨著21世紀(jì)半導(dǎo)體領(lǐng)域的快速發(fā)展,技術(shù)沉淀也越來越成熟

plasma清洗設(shè)備隨著21世紀(jì)半導(dǎo)體領(lǐng)域的快速發(fā)展,技術(shù)沉淀也越來越成熟:
       芯片plasma清洗設(shè)備在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用:plasma可以增強(qiáng)晶體和焊層的導(dǎo)電率。焊接材料的附著性、金屬絲的焊接電阻焊和塑料外殼涂層的可靠性。行業(yè)應(yīng)用于半導(dǎo)體元器件、光電子器件系統(tǒng)、晶體材料等集成電路芯片。
       plasma清洗設(shè)備主要用于各類清洗、表面激活和增強(qiáng)附著力。這些功能可用于半導(dǎo)體制造、微電子包裝和組裝、醫(yī)療設(shè)備和生命科學(xué)設(shè)備的制造。相對(duì)性于plasma表面處理技術(shù)的表面清洗,可以清除表面的脫模劑和添加劑,其激活過程可以保證后續(xù)粘接工藝和涂層工藝的質(zhì)量。復(fù)合物的表面特性可以再進(jìn)一步改善涂層處理。采用這種plasma技術(shù),可以根據(jù)特定的工藝要求有效地預(yù)處理原料的表面。

plasma清洗設(shè)備

       相對(duì)于plasma清洗設(shè)備的處理時(shí)間,離子體處理聚合物表面的交聯(lián)、化學(xué)改性和蝕刻主要是鑒于plasma切斷聚合物表面分子,產(chǎn)生大量的自由基。實(shí)驗(yàn)表明,隨著plasma處理時(shí)間的延長,放電功率增加,自由基電阻焊增加,達(dá)到最大點(diǎn)后進(jìn)入動(dòng)態(tài)平衡;當(dāng)放電壓力達(dá)到一定值時(shí),低溫等離子體對(duì)聚合物表面反應(yīng)最大。
       plasma清洗設(shè)備可以激活、蝕刻、去污等工藝,改善原料的摩擦因素、粘結(jié)和親水性。其特點(diǎn)是金屬、半導(dǎo)體、氧化物和大多數(shù)聚合物化合物原料處理良好,plasma清洗機(jī)可以實(shí)現(xiàn)整體、局部和復(fù)雜結(jié)構(gòu)的清洗。
plasma清洗設(shè)備用于芯片包裝材料的清洗和激活,解決產(chǎn)品表面污染、界面狀態(tài)不穩(wěn)定、燒結(jié)、鍵合不良等缺陷,提高質(zhì)量管理和工藝控制能力,增強(qiáng)原料表面特性,增強(qiáng)包裝產(chǎn)品性能。
        plasma清洗設(shè)備處理后,鑒于原料本身的性質(zhì)、再次污染、化學(xué)變化等原因,不易確定處理后的保留時(shí)間。plasma表面處理達(dá)到較高表面后,應(yīng)立即進(jìn)行下一道工序,以避免表面衰減的影響。

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