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plasma處理活化薄膜內(nèi)部電場,消除靜電場

plasma處理活化薄膜內(nèi)部電場,消除靜電場:
       使用plasma處理納米粒子表面,可以有效地提高納米粒子和硅烷偶聯(lián)劑的偶聯(lián)作用,從而增強納米粒子在聚酰亞胺復合薄膜中的分散特性,提升納米粒子和聚合物基體間的界面區(qū)域。粘結層借助硅烷偶聯(lián)劑緊密連接著有機無機兩相,有較強的相互影響,因此耐電暈性能強。邊界層中,聚合物高分子鏈和粘結層以及無機納米粒子間形成相互影響,耐電暈能力較粘結層稍弱。松散層是和邊界層有較弱相互作用的一層界面,其耐電暈能力弱。

plasma處理

       當材料表面發(fā)生局部放電作用時,在電場強度較大的區(qū)域的聚合物,表面首先遭到破壞,當放電進行到松散層時,因為該層耐電暈性能較差而被放電作用破壞,當放電進一步深入,電荷進入到邊界層或者粘結層時,由于界面區(qū)較強的相互影響而形成的強耐電暈能力,使得放電作用無法進一步破壞該區(qū)域,改為沿著界面區(qū)域以“之”字型發(fā)展,延長了放電路徑,從而提高了聚合物材料的耐電暈能力。納米粒子經(jīng)過plasma處理后,大大增加了復合薄膜中的界面區(qū)域,從而使得界面區(qū)域介電雙層結構發(fā)生重疊,提高了薄膜的電導率,并在薄膜內(nèi)部沿著重疊區(qū)域形成了導電通道,促進了薄膜內(nèi)部電荷的消散,plasma處理后改善了薄膜內(nèi)部電場,從而提高了薄膜的耐電暈壽命。

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